新代高功率激光浮區(qū)法單晶爐助力哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料晶體生長實驗及相關(guān)研究

更新時間：2019-10-15

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Quantum Design公司近期推出了激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)，該系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進設(shè)計理念，具有更高功率、更均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，其越的技術(shù)性能將助力同行學(xué)者和家的晶體生長工作！

浮區(qū)法單晶生長技術(shù)因其在晶體生長過程中具有無需坩堝、樣品腔壓力可控、生長狀態(tài)便于實時觀察等諸多點，目前已被*為是獲取高質(zhì)量、大尺寸單晶的重要手段之。激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合材料（諸如：高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導(dǎo)率材料等），以及常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作！

跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢：

Ø 功率更高，能量密度更大，加熱效率更高

Ø 采用技術(shù)五路激光設(shè)計，確保熔區(qū)能量分布更加均勻

Ø 更加科學(xué)的激光光斑化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力

Ø 采用了*的實時溫度集成控制系統(tǒng)

新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：

加熱控制	激光束	5束
	激光功率	2KW
	熔區(qū)高溫：	～3000℃*
	測溫范圍	900℃～3500℃
	溫度穩(wěn)定性	+/-1℃
晶體生長控制	大位移距離	150mm*
	晶體生長大直徑	8mm*
	晶體生長大速度/轉(zhuǎn)速	300 mm/hour;100rpm
	晶體生長監(jiān)控	高清攝像頭
	晶體生長控制	PC控制
其它	占地面積	D140 xW210 x H200 (cm)

具體取決于材料及實驗條件

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科學(xué)工程項建設(shè)指揮部暨空間基礎(chǔ)科學(xué)研究中心致力于各種高熔點、易揮發(fā)的超導(dǎo)、磁性、鐵電、熱電等材料的單晶生長實驗及相關(guān)物性研究，近日，我司再次同院校哈爾濱工業(yè)大學(xué)合作，順完成新代高功率激光浮區(qū)法單晶爐設(shè)備采購訂單，推動單晶生長工作邁向更高的臺階，我們也將如既往，秉承精益求精的研發(fā)、設(shè)計和加工理念，為用戶提供的技術(shù)和服務(wù)，助力用戶科研事業(yè)更上層樓!

RIKEN（CEMS）設(shè)計的五束激光發(fā)生器原型機實物圖

采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例：


Sr₂RuO₄	SmB₆

Ba₂Co₂Fe₁₂O₂₂	Y₃Fe₅O₁₂

以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

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