太赫茲近場光學(xué)顯微鏡 THz-NeaSNOM---30nm光學(xué)信號空間分辨率

產(chǎn)品簡介：

    太赫茲（THz）光源波長較大，般在300微米左右。由于衍射限的存在，THz遠(yuǎn)場測量系統(tǒng)的光學(xué)空間分辨率般被限制在150微米左右。該THz光遠(yuǎn)場測量結(jié)果的準(zhǔn)確度經(jīng)常無法滿足對材料科學(xué)研究，尤其是需要納米分辨率的微細(xì)尺度材料分布研究（例如半導(dǎo)體芯片中各個組成：源，漏，柵）的實驗。THz-NeaSNOM近場光學(xué)顯微鏡的出現(xiàn)為此難題提供了個很好的解決方案。

   德國neaspec公司與Fraunhofer IPM在neaspec公司neaSNOM近場光學(xué)顯微鏡的基礎(chǔ)上，已經(jīng)成功研發(fā)了套易用使用且THz系統(tǒng)的空間分辨率達(dá)到30nm的實驗設(shè)備。

太赫茲近場光學(xué)顯微鏡THz-NeaSNOM主要技術(shù)參數(shù)與點：

應(yīng)用案例：

THz-NeaSNOM 30nm空間分辨率

THz-NeaSNOM近場光學(xué)顯微鏡（下圖左）對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測量結(jié)果圖。

該結(jié)果表明硅襯底（上圖左，灰色）上的SiO（氧化硅）的尺寸大約在1.5×1 平 方微米。通過分析左側(cè)的高度數(shù)據(jù)，可以知道該氧化硅結(jié)構(gòu)僅僅只有大約22納米厚度。雖然該層狀結(jié)構(gòu)非常薄，但THz-NeaSNOM近場光學(xué)顯微鏡（下圖左）在測量高度的同時仍然能夠記錄該結(jié)構(gòu)與襯底的近場光學(xué)信號的明顯不同襯度的結(jié)果。該THz-NeaSNOM近場光學(xué)顯微鏡不僅在測量非常薄樣品的時 候靈敏度非常高，而且通過分析近場光學(xué)信號數(shù)據(jù)（下圖右）也證實了它超高的空間分辨率（~25-30nm）。

測試數(shù)據(jù)

表征半導(dǎo)體器件 Nature 456,454(2008)

超快機制研究納米線  Nature Photonics 8,841(2014)

用戶單位

部分用戶好評與列表（排名不分后）

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