本文轉(zhuǎn)載自  微系統(tǒng)與納米工程

Thermal scanning probe lithography—a review

Samuel Tobias Howell, Anya Grushina, Felix Holzner & Juergen Brugger 

 ( Microsystems Laboratory, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), 1015, Lausanne, Switzerland

Microsystems & Nanoengineering: volume 6, Article number: 16 (2020)

引用本文：https://www.nature。。ｃｏｍ/articles/s41378-019-0124-8

本文亮點(diǎn)：

1.  探討了掃描熱探針刻寫(xiě)技術(shù)(thermal scanning probe lithography,t-SPL)的常規(guī)和*功能，尖細(xì)的探針快速準(zhǔn)確的溫控實(shí)現(xiàn)納米分辨率的材料表面加工。

2. 總覽了t-SPL用于納米器件制備案例，從量子技術(shù)到材料科學(xué)t-SPL改進(jìn)納米制備的過(guò)程。更多新興課題有待發(fā)掘。                                                                         

3. 探討用t-SPL去除材料，改變樣品材料的理化屬性或者在樣品表面沉積其他材料的實(shí)驗(yàn)方法，參數(shù)和具體案例。

內(nèi)容簡(jiǎn)介：

    納米工作中需要制備各種納米器件，尤其是器件尺寸的進(jìn)步縮小需要使用高分辨率的刻寫(xiě)制備工具。電子束刻蝕（EBL）是目前可以選用的工具，其價(jià)格昂貴使用難度高。使用EBL可以制備高精度的納米結(jié)構(gòu)和器件，多年來(lái)在科研域廣泛使用。由于需要復(fù)雜的電子兼容光學(xué)器件來(lái)聚焦電子束為幾個(gè)納米的斑點(diǎn)，使得EBL系統(tǒng)價(jià)格相對(duì)昂貴，對(duì)操作者的經(jīng)驗(yàn)要求比較高。電子束在曝光光刻膠時(shí)產(chǎn)生的鄰近效應(yīng)需要使用復(fù)雜的軟件進(jìn)行校正以達(dá)到高分辨率曝光。尤其是在灰度曝光制備3D表面的納米器件時(shí)，操作過(guò)程更是復(fù)雜，縱向精度無(wú)法有效控制。另有文獻(xiàn)報(bào)道高能電子束損傷樣品或者將電子注入樣品導(dǎo)致其物理屬性的變化從而導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)失敗。因此值得探討高分辨率刻寫(xiě)工具域的新技術(shù)和其他選擇。

     掃描探針刻寫(xiě)（SPL）在30年前就展示了納米的高分辨率，用不同原理的SPL技術(shù)在不同實(shí)驗(yàn)室得到開(kāi)發(fā)應(yīng)用，但是刻寫(xiě)速度慢功能單。熱探針掃描刻寫(xiě)（t-SPL）技術(shù)用熱探針大大提高了刻寫(xiě)速度，目前商業(yè)化的t-SPL系統(tǒng)在速度和分辨率上均和EBL系統(tǒng)媲美，為高分辨率刻寫(xiě)工具域提供了新的選擇。t-SPL在完成EBL相同的刻寫(xiě)任務(wù)時(shí)還提供了其他的*功能，為科學(xué)研究開(kāi)創(chuàng)新的思路。瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院 Juergen Brugger教授團(tuán)隊(duì)回顧了熱掃描探針刻寫(xiě)技術(shù)的現(xiàn)狀，綜述收集匯總了熱探針刻寫(xiě)的工作和文獻(xiàn)，介紹了t-SPL的原理和應(yīng)用案例及納米制備相關(guān)參數(shù)。探討了t-SPL在納米制備的功能和局限。力求為科研工作者在納米制備方面提供個(gè)有關(guān)t-SPL的知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)。

    t-SPL系統(tǒng)點(diǎn)如下：t-SPL在常溫常壓或者其他氣體環(huán)境下使用。使用t-SPL可以去除樣品表面材料，改變樣品表面材料的物理化學(xué)性，或者在樣品表面沉積其他材料，無(wú)需圖形轉(zhuǎn)移直接刻寫(xiě)金屬或者其他材料的納米結(jié)構(gòu)。作為納米刻寫(xiě)工具的t-SPL用熱探針?lè)纸鉄崦裟z為氣態(tài)單體，直接在熱敏膠中生成納米結(jié)構(gòu)。探針在幾微秒內(nèi)冷卻下來(lái)用于實(shí)時(shí)檢測(cè)熱敏膠中的納米結(jié)構(gòu)。實(shí)時(shí)檢測(cè)的形貌圖可實(shí)現(xiàn)無(wú)標(biāo)記套刻，或者在3D表面刻寫(xiě)時(shí)由閉環(huán)系統(tǒng)控制縱向刻寫(xiě)誤差小于2 nm，達(dá)到高精度灰度刻寫(xiě)。熱敏膠內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)可以通過(guò)各種常規(guī)方法進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移比如剝離，高深寬比干法刻蝕，納米壓印，電鍍復(fù)制，制備架空結(jié)構(gòu)，納米顆粒組裝或捕獲等。也可以直接使用熱敏膠內(nèi)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行納米顆粒定向運(yùn)輸，干細(xì)胞生長(zhǎng)等實(shí)驗(yàn)。熱探針不使用高能帶電粒子，有效保護(hù)樣品不受損傷或者變性。高精度3D表面刻寫(xiě)和熱探針改變表面材料屬性促使新興課題的研究成為可能。

圖文展示1：用熱探針進(jìn)行納米制備的各種原理和方法。

使用熱探針引起材料升華或者機(jī)械壓印去除樣品表面材料，通過(guò)局部改變材料物理性來(lái)改變樣品的結(jié)晶度或磁偶子方向，或改變材料化學(xué)性， 用熱探針融化黏附在針尖上的材料并沉積在樣品表面，或者在氣體環(huán)境中通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將氣體中的元素沉積到樣品表面。

    熱探針在納米制備中有很多不同的原理，方法和用途。使用熱探針可以在探針和樣品的接觸點(diǎn)局部去除或者改變樣品表面材料，或者沉積材料到樣品表面。去除材料的方法可以使用探針的機(jī)械壓力或者熱探針引起的化學(xué)反應(yīng)。材料變性是樣品表面材料在加熱的條件下可以發(fā)生物理或者化學(xué)性的變化從而達(dá)到改變材料屬性的目的。熱探針也可以融化事存儲(chǔ)或者黏附在探針上的材料，使其通過(guò)針尖沉積在樣品表面，沉積結(jié)構(gòu)的粗細(xì)通常由探針相對(duì)樣品移動(dòng)的速度來(lái)控制?；蛘哂肅VD的原理在氣體環(huán)境中局部加熱樣品表面可以在任何基片上沉積高質(zhì)量的任意形狀的金屬納米結(jié)構(gòu)。由于針尖尺寸很小，熱探針誘導(dǎo)局部變性的區(qū)域可以達(dá)到納米等的分辨率。

圖文展示2：影響熱探針下材料納米尺度的溫度和熱反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的傳熱模型和參數(shù)。

a 電阻式加熱的熱探針傳熱模型：熱量從加熱源通過(guò)探針尖和空隙傳導(dǎo)到樣品材料和基質(zhì)。b探針的尺寸和開(kāi)口角度對(duì)針尖樣品接觸點(diǎn)的溫度以及分辨率的關(guān)系。通常，針的尺寸和開(kāi)口角度越大，以犧牲分辨率來(lái)獲得更高的接觸溫度。c 典型情況下即薄膜（例如聚合物）的熱導(dǎo)率低于基材（例如Si）的熱導(dǎo)率時(shí)薄膜厚度對(duì)溫度的影響。針尖樣品點(diǎn)的接觸溫度隨著膜厚度的減小而降低。d薄膜材料中的溫度分布與被轉(zhuǎn)換的材料體積的定性示意圖。對(duì)于大多數(shù)與t-SPL有關(guān)的反應(yīng)，熱轉(zhuǎn)化體積小于材料內(nèi)的熱量散布，這將有于提高橫向分辨率。e反應(yīng)和針尖溫度的對(duì)應(yīng)曲線，即被轉(zhuǎn)化物質(zhì)相對(duì)于材料總量的百分比對(duì)應(yīng)針尖溫度變化的曲線。標(biāo)注了材料轉(zhuǎn)化率為1％，50％和99％的數(shù)據(jù)點(diǎn)。隨后的曲線顯示了針尖溫度受到活化能，針尖樣品接觸時(shí)間和針尖樣品接觸力的影響。f當(dāng)熱驅(qū)動(dòng)過(guò)程的活化能增加時(shí)，需要更高的針尖溫度來(lái)觸發(fā)材料改性。g針尖接觸樣品的時(shí)間越長(zhǎng)，那么觸發(fā)改性所需的溫度越低并且改性發(fā)生的溫度范圍越窄（x軸為對(duì)數(shù)坐標(biāo)）。h通過(guò)增加壓力可以降低某些化學(xué)反應(yīng)完成所需的溫度。在t-SPL中，可以通過(guò)增加針尖和樣品的接觸力來(lái)實(shí)現(xiàn)。

    在實(shí)際使用中，典型的情況是用熱探針改變基片上有機(jī)物薄膜材料的性。這里對(duì)熱量從熱源，通過(guò)針尖和樣品的接觸間隙，傳導(dǎo)到薄膜和樣品的物理模型進(jìn)行了分析。當(dāng)針尖尺寸和張角越大，從熱源傳導(dǎo)到薄膜材料中的熱量就越多（接觸點(diǎn)的溫度較高）。厚度小的薄膜材料將更多的熱量傳導(dǎo)到基片導(dǎo)致熱量損失引起探針和薄膜材料接觸點(diǎn)的溫度降低。被熱探針改性的材料體積總是小于熱量傳導(dǎo)入薄膜材料的體積。針尖溫度越高，可以使得更多的材料發(fā)生改性。高活化能的材料需要高的針尖溫度觸發(fā)改性。針尖和樣品的接觸時(shí)間越長(zhǎng)，接觸力越大，引起材料改性所需的針尖溫度則越低。

圖文展示3：熱探針去除熱敏膠后產(chǎn)生的納米結(jié)構(gòu)的應(yīng)用總覽。

熱探針去除熱敏膠后產(chǎn)生的納米結(jié)構(gòu)的應(yīng)用總覽。a. 2D或3D結(jié)構(gòu)可以直接用作生物兼容的模板進(jìn)行細(xì)胞生長(zhǎng)59或用于傳輸和捕獲納米顆粒。納米顆粒完成組裝后，可以通過(guò)加熱55去除PPA膠。b直接用PPA膠中的納米結(jié)構(gòu)作為母版模制各種柔軟的透明聚合物，或者電鍍金屬作為摸具31,60。c直接使用PPA中的納米結(jié)構(gòu)作為蝕刻掩模可以將2D和3D納米結(jié)構(gòu)通過(guò)蝕刻轉(zhuǎn)移（濕法或干法蝕刻）到各種材料中去。d使用熱敏膠下面的另層掩模版可以放大終蝕刻的深度以及轉(zhuǎn)移3D納米結(jié)構(gòu)。e在熱敏膠下面使用另層有機(jī)材料可在濕化學(xué)中有選擇地去除從而產(chǎn)生底切便于剝離。f熱敏膠下面的功能層可以在熱敏膠被熱探針去除時(shí)被熱探針熱激活或在后續(xù)氧等離子體操作步驟中激活。g由熱敏膠，無(wú)機(jī)硬掩模薄層和有機(jī)膠組成的三層堆疊轉(zhuǎn)移層適用于高深寬比和高分辨率蝕刻。h三層堆疊轉(zhuǎn)移層適用于高分辨率納米結(jié)構(gòu)剝離7。(注：數(shù)字為參考文獻(xiàn)序號(hào))

    使用熱探針在熱敏膠內(nèi)產(chǎn)生的2D和3D的納米結(jié)構(gòu)可以通過(guò)多種方式進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移或者直接作為納米器件使用。熱敏膠中的3D結(jié)構(gòu)可直接用于干細(xì)胞生長(zhǎng)的3D模板。也可以作為納米壓印的模板。大多數(shù)情況下，熱敏膠中的納米結(jié)構(gòu)通過(guò)常規(guī)的剝離或者刻蝕方法轉(zhuǎn)移到金屬或者其他基片材料中去。用離子反應(yīng)刻蝕可以直接使用熱敏膠作為模板將3D結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基片材料比如硅材料中?；蛘呤褂?層或者3層的膠層堆疊， 2層堆疊類似常用的濕法剝離制備金屬納米結(jié)構(gòu)。3層堆疊多用于高深寬比和高分辨率納米結(jié)構(gòu)。使用不同的犧牲層材料可以提高刻蝕轉(zhuǎn)移或者剝離后納米結(jié)構(gòu)的深度。當(dāng)犧牲層為功能性材料時(shí)，熱探針可以局部激活功能性材料產(chǎn)生功能材料的納米結(jié)構(gòu)。

圖文展示4：使用t-SPL去除材料所實(shí)現(xiàn)的納米結(jié)構(gòu)應(yīng)用示例。

a. 直接由熱探針寫(xiě)入PPA膠層中的3D納米流體振動(dòng)布朗馬達(dá)納米顆粒篩選軌道。經(jīng)參考文獻(xiàn)作者許可轉(zhuǎn)載56（原文參考文獻(xiàn)號(hào)，下同），AAAS。b上圖：PPA中的323D全息圖結(jié)構(gòu)，下圖：300 nm波幅正弦波結(jié)構(gòu)用于紫外光納米壓印的母版。經(jīng)考文獻(xiàn)作者許可轉(zhuǎn)載31。c 熱探針寫(xiě)入PPA中的高斯形光學(xué)微腔以及隨后刻蝕轉(zhuǎn)移形成布拉格鏡作為光學(xué)分子。根據(jù)參考文獻(xiàn)CC BY 4.0許可改編54，版權(quán)所有2017 Springer Nature。d將熱探針在PPA膠中形成的納米圓錐形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移入硅材料形成原子尺度的存儲(chǔ)器。根據(jù)參考文獻(xiàn)CC BY 4.0許可改編。65，版權(quán)2019 Springer Nature。e單層MoS₂頂柵晶體管，具有創(chuàng)紀(jì)錄的低接觸電阻和高開(kāi)/關(guān)比。經(jīng)許可轉(zhuǎn)載自參考文獻(xiàn)68，版權(quán)2019 Springer Nature。f選擇性去除PPA以暴露下層功能材料來(lái)研究納米顆粒組裝過(guò)程。經(jīng)參考文獻(xiàn)作者許可轉(zhuǎn)載72，版權(quán)所有2018 ACS。g左：蝕刻到Si中的14 nm半線寬線條圖案。轉(zhuǎn)載自參考文獻(xiàn)29，版權(quán)所有2017 ACS。右：t-SPL寫(xiě)入由Al₂O₃注入處理的PPA膠內(nèi)并轉(zhuǎn)移到硅材料的鰭（場(chǎng)效應(yīng)管）的TEM圖像。改編自參考文獻(xiàn)75，版權(quán)所有2018 ACS。h t-SPL刻寫(xiě)制備的InAs納米線晶體管金屬頂部柵電。經(jīng)參考文獻(xiàn)作者許可轉(zhuǎn)載76,77，版權(quán)所有2019 IEEE。i將t-SPL與激光直寫(xiě)聯(lián)用制備的基于硅材料的室溫單電子晶體管。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載43，版權(quán)2018 IOP Publishing。

    t-SPL制備的3D納米結(jié)構(gòu)為物理實(shí)驗(yàn)提供了新的手段和方法。創(chuàng)新*的納流控布朗馬達(dá)可以對(duì)直徑相差1納米的納米顆粒進(jìn)行分離捕獲。無(wú)標(biāo)記套刻和3D刻寫(xiě)使得原子尺度的存儲(chǔ)器成為可能?；?D光學(xué)微腔的布拉格透鏡大大提高了器件的質(zhì)量系數(shù)。MoS₂晶體管得益于t-SPL清潔無(wú)損傷的刻寫(xiě)過(guò)程，將電和2D材料的接觸電阻降低2個(gè)數(shù)量并檢測(cè)到肖基勢(shì)壘為零。t-SPL制備的納米管器件的頂柵電解決了電和納米管緣層的充電問(wèn)題。使用Al₂O₃注入處理的PPA將用于解決半導(dǎo)體行業(yè)使用超薄掩模版轉(zhuǎn)移細(xì)小納米結(jié)構(gòu)到硅材料的難題。t-SPL與激光直寫(xiě)聯(lián)用將提高整體的刻寫(xiě)速度，簡(jiǎn)化有高和低分辨率的納米器件的制備過(guò)程。

圖文展示5：熱探針進(jìn)行材料屬性轉(zhuǎn)換工作原理。

a 對(duì)功能性表面基團(tuán)的脫保護(hù)作用32,33,78–82,84,85。b 將前體材料轉(zhuǎn)換為功能材料42,45,86–92,94,95。c 通過(guò)短暫加熱和快速淬火來(lái)實(shí)現(xiàn)非晶化以獲得無(wú)序相96,97。d 局部非晶態(tài)材料的結(jié)晶21,98–102。e磁偶通過(guò)熱輔助局部對(duì)準(zhǔn)104-107

    使用熱探針可以通過(guò)接觸加熱樣品表面對(duì)樣品材料進(jìn)行局部改變其物理和化學(xué)屬性。比如改變?cè)优判蚓植烤Щ蔷w材料或者非晶化晶體材料。在前體材料中引入熱來(lái)產(chǎn)生物理或者化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生物質(zhì)新的物理化學(xué)性。熱能也可以打斷分子鏈對(duì)功能性表面產(chǎn)生脫保護(hù)作用。用熱探針局部加熱的同時(shí)改變外加磁場(chǎng)的方向來(lái)翻轉(zhuǎn)磁偶子的導(dǎo)向，在磁性薄膜材料中規(guī)劃出不同的磁疇區(qū)域。凡是對(duì)熱敏感的材料都可以用熱探針進(jìn)行局部變性在樣品上制備屬性不同的納米結(jié)構(gòu)。納米結(jié)構(gòu)的分辨率可以接近探針針尖的尺寸。在這個(gè)域還有很多可以探討的實(shí)驗(yàn)和材料。

圖文展示6：熱探針進(jìn)行材料屬性轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)例。

a 用熱探針對(duì)THP封端的功能性胺基進(jìn)行脫保護(hù)來(lái)實(shí)現(xiàn)樣品表面納米尺度的化學(xué)梯度。改編自參考文獻(xiàn)33，版權(quán)所有2013 ACS。b用熱探針熱脫保氨基后再組裝蛋白質(zhì)分子來(lái)實(shí)現(xiàn)樣品表面蛋白質(zhì)密度梯度。轉(zhuǎn)載自參考文獻(xiàn)82，版權(quán)所有2016 IOP Publishing。c用熱探針對(duì)氧化石墨烯的表面進(jìn)行化學(xué)改性來(lái)研究材料在納米尺度的反應(yīng)機(jī)理。改編自參考文獻(xiàn)45，版權(quán)所有2017 ACS。d用熱探針激發(fā)前體材料制備并五苯納米線。經(jīng)參考文獻(xiàn)轉(zhuǎn)載92，2013年，John Wiley＆Sons版權(quán)所有。e用熱探針對(duì)熱致變色超分子聚合物進(jìn)行熱淬火來(lái)降解準(zhǔn)分子部分以獲取樣品內(nèi)的不同熒光性。經(jīng)參考文獻(xiàn)的許可轉(zhuǎn)載96，版權(quán)所有2017 ACS。f用熱探針對(duì)GeTe相變材料進(jìn)行局部結(jié)晶以產(chǎn)生導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可重新發(fā)布98，版權(quán)所有2017 RSC Pub。g用熱探針結(jié)晶熱解非晶體凝膠前體直接刻寫(xiě)鐵電PZT納米結(jié)構(gòu)。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載99，版權(quán)所有2011 John Wiley＆Sons。h用熱探針對(duì)CoFe2O2薄膜的局部結(jié)晶形成納米尺度的磁渦旋。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載。101，版權(quán)所有2018 Elsevier。i在外加磁場(chǎng)下重新定向t-SPL加熱區(qū)域可以重構(gòu)磁性納米結(jié)構(gòu)來(lái)制備自旋波電路。根據(jù)參考文獻(xiàn)CC BY 4.0許可改編106

    用t-SPL對(duì)樣品表面材料改性有著非常廣泛的應(yīng)用前景。用熱探針打斷，脫保樣品分子的末端基團(tuán)，隨后根據(jù)需要組裝其他功能性分子以局部改變樣品表面的化學(xué)物理性。被改變的區(qū)域可以用做熒光標(biāo)識(shí)或者捕獲其他分子的傳感器。通過(guò)多次重復(fù)制備過(guò)程，可以集裝不同傳感器類型在同個(gè)樣品上。用探針直接刻寫(xiě)納米管或者鐵電材料，導(dǎo)電材料，磁性材料的納米結(jié)構(gòu)將大大簡(jiǎn)化各類納米器件的制備過(guò)程。用熱探針對(duì)晶體和非晶體材料的互相轉(zhuǎn)換，可以開(kāi)發(fā)新型防偽技術(shù)等。熱探針在外加磁場(chǎng)的輔助下規(guī)劃磁性薄膜內(nèi)磁疇的形狀和導(dǎo)向來(lái)制備磁自旋波電路。比如產(chǎn)生和控制渦流/反渦流對(duì)和Bloch線來(lái)引導(dǎo)自旋波。將材料在無(wú)外加磁場(chǎng)時(shí)加熱到160度可以刪除磁疇結(jié)構(gòu)。

圖文展示7：用熱探針在樣品表面沉積材料后的相關(guān)納米加工過(guò)程概述。

a 直接沉積被熱探針融化的材料108,111–116,127或載體基質(zhì)（例如含納米顆粒的聚合物），載體可以在沉積后去除117。b直接將干法蝕刻的抗蝕劑沉積到基底材料上118,121。c沉積的結(jié)構(gòu)可用作模制的母盤(pán)118。d直接沉積納米結(jié)構(gòu)作為蝕刻掩模用于無(wú)溶劑圖形轉(zhuǎn)移工藝119,120。e沉積保護(hù)性掩膜結(jié)構(gòu)來(lái)選擇性地對(duì)低維材料進(jìn)行局部功能化110。f沉積納米結(jié)構(gòu)作為干法刻蝕下層材料的掩膜，隨后去除更下層犧牲層材料來(lái)形成架空的納米結(jié)構(gòu)122

    用熱探針在樣品表面沉積材料可以大大簡(jiǎn)化納米器件的制備過(guò)程。材料可以沉積在任何基片上不需要使用任何溶劑。除了有機(jī)物以外低熔點(diǎn)的金屬也可以用熱探針沉積在樣品上，對(duì)沉積任意形狀的液體金屬納米結(jié)構(gòu)非常有用。用熱探針可以直接沉積保護(hù)性或者功能性納米結(jié)構(gòu)模板用于后續(xù)的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程。在樣品表面沉積保護(hù)性模板可以選擇性地保護(hù)樣品區(qū)域不受后續(xù)實(shí)驗(yàn)步驟的影響以保持材料原有屬性。類似t-SPL去除熱敏膠后形成的納米結(jié)構(gòu)，用熱探針沉積產(chǎn)生的納米結(jié)構(gòu)也可以用做納米壓印等的摸具母版。用多層堆疊膠層可以使用t-SPL來(lái)制備架空納米結(jié)構(gòu)。

圖文展示8：用熱探針沉積材料制成的納米結(jié)構(gòu)的示例。

a 用預(yù)加載的探針通過(guò)熱輔助沉積PDDT納米結(jié)構(gòu)，沉積厚度通過(guò)探針?biāo)俣瓤刂?。根?jù)CC BY 2.0參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載113。b用熱探針沉積熔融的銦。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載116，版權(quán)所有2006 AIP出版。c用熱探針沉積含納米顆粒的聚合物，隨后用氧等離子體處理去除聚合物基質(zhì)僅留下納米顆粒在樣品表面。改編參考文獻(xiàn)117，版權(quán)所有2010 ACS。d直接沉積PMMA納米結(jié)構(gòu)作為XeF2等離子體蝕刻的掩模用于刻蝕MoS2樣品。改編自參考文獻(xiàn)120，Copyright 2019 ACS。e沉積PS作為Bosch蝕刻的蝕刻掩模以及后續(xù)的金屬輔助蝕刻。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載121，2013年AVS版權(quán)所有。f直接沉積PS蝕刻掩模隨后進(jìn)行干法蝕刻和隨后的濕法蝕刻在SOI基底上形成架空的納米結(jié)構(gòu)。經(jīng)參考文獻(xiàn)許可轉(zhuǎn)載122，版權(quán)所有IOP 2014出版

    用熱探針沉積不同的材料在樣品表面形成納米結(jié)構(gòu)在實(shí)驗(yàn)室中已有很多嘗試。加熱探針使得預(yù)附著在探針上的固態(tài)材料融化沉積在表面并通過(guò)速度來(lái)控制納米結(jié)構(gòu)的橫向尺度。后續(xù)可以直接使用沉積的納米結(jié)構(gòu)作為刻蝕的掩膜制備金屬或者2D材料的器件。2D材料器件還將受益于材料無(wú)充電損傷和無(wú)殘留光刻膠污染樣品的點(diǎn)。納米顆?？梢匀谌胍簯B(tài)聚合物通過(guò)熱探針沉積在樣品上，隨后通過(guò)氧等離子體處理去除聚合物留下納米顆粒散布在樣品表面。使用多層有機(jī)材料堆疊制備任意形狀的架空納米結(jié)構(gòu)非常有新意。這類實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵是更好地控制熔融材料由探針沉積在樣品表面的流速和流量，通過(guò)殊的探針的設(shè)計(jì)有望改善對(duì)流速流量的控制。

原文摘要

    Fundamental aspects and state-of-the-art results of thermal scanning probe lithography (t-SPL) are reviewed here. t-SPL is an emerging direct-write nanolithography method with many unique properties which enable original or improved nano-patterning in application fields ranging from quantum technologies to material science. In particular, ultrafast and highly localized thermal processing of surfaces can be achieved through the sharp heated tip in t-SPL to generate high-resolution patterns. We investigate t-SPL as a means of generating three types of material interaction: removal, conversion, and addition. Each of these categories is illustrated with process parameters and application examples, as well as their respective opportunities and challenges. Our intention is to provide a knowledge base of t-SPL capabilities and current limitations and to guide nanoengineers to the best-fitting approach of t-SPL for their challenges in nanofabrication or material science. Many potential applications of nanoscale modifications with thermal probes still wait to be explored, in particular when one can utilize the inherently ultrahigh heating and cooling rates.

作者單位簡(jiǎn)介

Prof. Juergen Brugger (corresponding author)

MicrosystemsLaboratory, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) , Switzerland

     Juergen Bruggeris Professor of Microengineering and co-affiliated to Materials Science. Beforejoining EPFL he was at the MESA Research Institute of Nanotechnology at theUniversity of Twente in the Netherlands, at the IBM Zurich Research Laboratory,and at the Hitachi Central Research Laboratory, in Tokyo, Japan. He receivedhis Master in Physical-Electronics and his PhD degree from NeuchatelUniversity, Switzerland.

    Research in Juergen Brugger’s laboratory focuses on various aspects of MEMS and Nanotechnology. The group has made several important contributions to thefield, at the fundamental level as well as in technological development, asdemonstrated by the start-ups that spun off from the lab. In his research, keycompetences are in micro/nanofabrication, additive micro-manufacturing, newmaterials for MEMS, increasingly for biomedical applications. He published over 200 peer-refereed papers and supervised 20 PhD students. Juergen Brugger hasbeen appointed in 2016 Fellow of the IEEE “For contributions to micro and nanomanufacturing technology”. In 2017 he was awarded an ERC AdvG in the field ofadvanced micro-manufacturing.

Dr. Samuel Howell (first author)

MicrosystemsLaboratory, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) , Switzerland

    Our laboratory’s research and education arecentered around Microsystems (MEMS), Materials Science, and Nanotechnology toaddress engineering challenges at the mesoscopic scale. We are alsoinvestigating innovative detection methods and microdevices for nuclearmagnetic resonance (NMR), electron spin resonance (ESR), ferromagneticresonance (FMR) spectroscopy and imaging on small samples.

    Samuel Howell is a Postdoctoral Researcher atEPFL. During his postdoctoral work, he co-authored an extensive review paperabout thermal scanning probe lithography (t-SPL). His main research focusduring his PhD at EPFL was t-SPL and nanoscale thermometry. With a materialsscience background, he was focusing on phase changes in organic materialsthrough rapid heating and cooling of nanoscopic volumes by t-SPL. Samuel hasbeen a visiting researcher at the Institute of Industrial Sciences in Tokyo,Japan. He obtained his Master’s degree in Materials Science at ETH Zurich.

Dr. Felix Holzner (co-author)

HeidelbergInstruments Nano -SwissLitho AG, Zürich,Switzerland

    Heidelberg Instrument Nano/SwissLitho is a young andinnovative high-tech company with an expertise in Scanning Thermal ProbeLithography (STPL), a technology realized with their NanoFrazor systems. In2018, SwissLitho Joined Heidelberg Instruments and together, Heidelberg Instrumentsand SwissLitho are now able to provide customers with an additional choice oftools and options in the Nano-and Microlithography field. In the NanoFrazor,heatable silicon tips are used for direct patterning of arbitrary 2D and 3Dnanostructures and for simultaneous imaging of the tiny resultingnanostructures.

    Felix Holzner is a physicist by training with universitydegrees from Germany and New Zealand and a PhD from ETH Zurich .He worked onthe NanoFrazor technology at IBM Research Zurich for three years, before heinitiated and advanced its commercialization with the incorporation ofSwissLitho AG in 2012. Felix Holzner received numerous awards and is a frequentinvited speaker at scientific and technology conferences. In 2018, SwissLithoAG joined forces with Heidelberg Instruments in order to become the world-leadingprovider of innovative direct-write lithography solutions.

    Felix leads Heidelberg Instruments Nano as CEO.

Dr. Anny Grushina (co-author)

HeidelbergInstruments Nano - SwissLitho AG, Zürich, Switzerland

    HeidelbergInstrument Nano/SwissLitho is a young and innovative high-tech company with anexpertise in Scanning Thermal Probe Lithography (STPL), a technology realizedwith their NanoFrazor systems. In 2018, SwissLitho Joined HeidelbergInstruments and together, Heidelberg Instruments and SwissLitho are now able toprovide customers with an additional choice of tools and options in the Nano-and Microlithography field. In the NanoFrazor, heatable silicon tips are usedfor direct patterning of arbitrary 2D and 3D nanostructures and for simultaneousimaging of the tiny resulting nanostructures.

    Anya Grushina holds a B.Sc in AppliedPhysics and Mathematics from the South Ural State University in Russia and aM.Sc in Nanobiophysics from the Dresden University of Technology, Germany. In2015, she received a PhD in Physics from the University of Geneva where sheworked on quantum electronics and graphene physics in the group of Prof.Morpurgo. Anya was working as an application engineer for FemtoTools before shejoined Heidelberg Instruments Nano in 2018.

    At Heidelberg Instruments, Anya Grushina ispart of the sales and marketing team and is responsible to make the uniquecapabilities of our product portfolio known to a broad community. She is alsothe editor-in-chief of the newly launched magazine “The Lithographer”.